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厂商型号

MRF6S19100HSR3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-780S T/R

内部编号

146-MRF6S19100HSR3

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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MRF6S19100HSR3产品详细规格

规格书 MRF6S19100HSR3 datasheet 规格书
MRF6S19100HSR3 datasheet 规格书
文档 RF Devices 01/Jul/2010
产品更改通知 RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
标准包装 250
晶体管类型 LDMOS
频率 1.99GHz
增益 16.1dB
电压 - Test 28V
当前 Rating 10µA
噪声系数 -
当前 - Test 900mA
Power - 输出功率 22W
电压 - 额定 68V
包/盒 NI-780S
供应商器件封装 NI-780S
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3NI-780S
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 68 V
最大门源电压 -0.5|12 V
工作温度 -65 to 225 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 68V
供应商设备封装 NI-780S
电压 - 测试 28V
封装 Tape & Reel (TR)
频率 1.99GHz
增益 16.1dB
封装/外壳 NI-780S
电流 - 测试 900mA
额定电流 10µA
功率 - 输出 22W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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